Samsung разделит zNAND-память на три типа для ИИ-задач
Samsung Electronics разрабатывает три варианта флеш-памяти z-NAND, каждый из которых ориентирован на определённый тип нагрузки в системах искусственного интеллекта.
01Что случилось
Первый тип — zNAND-O, анонсированный в августе, предназначен для локального ИИ. В нём используется технология сквозных кремниевых переходов (TSV), позволяющая вертикально размещать от 4 до 8 кристаллов NAND-памяти, что сокращает путь передачи данных и повышает скорость и энергоэффективность.
Второй тип — zNAND-T, официально ещё не анонсированный, сфокусирован на пропускной способности и рассчитан на дата-центры. По архитектуре он близок к концепции высокоскоростной флеш-памяти (HBF).
Третий тип — zNAND-I, также не представленный, оптимизирован под высокую скорость случайного доступа (IOPS), что критично для задач ИИ-инференса и систем кеширования.
02Почему это важно
Решение о создании трёх линеек продиктовано запросами крупных технологических компаний на кастомизацию оборудования. Конкуренты, включая SK hynix, также развивают собственные семейства ИИ-памяти с разделением по типу нагрузки.
Источники
- 3DNews 3dnews.ru